第5页_半导体光电2003年出版文献-钛学术文献服务平台

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半导体光电

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Semiconductor Optoelectronics

CA JST SA CSTPCD

影响因子 0.5046

本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

主办单位：

重庆光电技术研究所

期刊荣誉：

信息产业部优秀电子期刊 重庆市优秀期刊

ISSN：

1001-5868

CN：

50-1092/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号44所内

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热门刊内文献

年度刊次

121. 基于半导体工艺制备碳纳米管阴极图形阵列

作者：史永胜朱长纯李琰

刊名：半导体光电

发表期刊： 2003年6期

页码: 441-443

摘要：提出一种成本低、简单易行的碳纳米管图形阵列制备技术.首先在硅基底上采用热解工艺生长碳纳米管(CNT)阴极,再用光刻腐蚀法制备阴极图形阵列.研究了掩模精度及腐蚀液的浓度对图形阵列的影响,对所得...
122. 注碳外延硅光致蓝光发射研究

作者：李玉国王强石礼伟薛成山

刊名：半导体光电

发表期刊： 2003年6期

页码: 444-446

摘要： N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431 nm左右的蓝色荧光.随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰.研究认为样品...
123. Zr0.8Sn0.2TiO4微波介质陶瓷材料的掺杂改性

作者：刘嵩松陈玉华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2003年6期

页码: 447-450

摘要：以Zr0.8 Sn0.2 TiO4作为主配方,以ZnO,La2 O3,Fe2 O3和NiO作为改性剂,采用传统陶瓷制备工艺,对其进行了掺杂改性的初步探索.在优选的配方和工艺条件下,得到Zr0...
124. 射频溅射法镀LD腔面光学薄膜的工艺研究

作者：刘莹崔碧峰徐晨杜金玉沈光地舒雄文邹德恕鲁鹏程

刊名：半导体光电

发表期刊： 2003年6期

页码: 451-453

摘要：介绍了用普通多靶射频溅射台镀半导体激光器腔面光学膜的工艺方法,给出了实验的工艺条件、采用的光学膜的材料以及具体的工艺参数,讨论了此方法镀光学膜的结果以及优点.
125. H2O2催化多孔硅的光致发光研究

作者：晁明举杜远东钱萍

刊名：半导体光电

发表期刊： 2003年6期

页码: 454-456

摘要：采用H2O2催化的电化学法制备多孔硅,用原子力显微镜观察了样品的形貌,并测量了在不同电流密度下制得的多孔硅和在不同氧化时间高温氧化的多孔硅的光致发光谱.实验结果表明,采用H2O2催化的电化学...

半导体光电基本信息

刊名	半导体光电	主编	江永清
曾用名
主办单位	重庆光电技术研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1001-5868	CN	50-1092/TN
邮编	400060	电子邮箱	soe@163.net
电话	023-62806174	网址	www.semiopto.net
地址	重庆市南坪花园路14号44所内