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微纳电子技术2003年第10期出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
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总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要： 详细讨论了SiGe HBT的直流交流特性、噪声特性,SiGe HBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGe HBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LN...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要： 在SiGe HBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGe HBT小电流下较大漏电问题,对SiGe HBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究.通过改变超...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要： 对单台面SiGe HBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究.研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要： 利用高能电子衍射振荡研究MBE异质材料生长工艺.优化了AlGaAs/InGaAs/GaAs材料生长工艺.通过霍耳测量、X射线双晶衍射及二次离子质谱研究了利用该工艺生长的AlGaAs/InGa...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要： 在制造微电子机械系统(MEMS)的器件的过程中,通常要进行高温的薄膜淀积或生长,因此薄膜中存在的残余应力很多情况下影响着器件结构的特性,有时甚至严重劣化器件的性能.本文以实例具体分析了薄膜残...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要： 以电力系统保护为背景,分析了微电子机械系统(MEMS)的发展使电气设备实现小型化、智能化的可能性;论述了微电器应具备的特征;讨论了微电气设备的特点.
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要： DY-2003小型点样仪控制系统的硬件部分选用了固高公司的GT-400-SG的控制卡.该卡虽然为开环控制卡,但由于和性能较高的松下交流伺服电机与THK运动单元配合使用,精度可以满足设计要求....
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11. 集成电路迈向90nm新工艺刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要： 介绍集成电路制造技术90 nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50 nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望.
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12. 政策指导刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要：
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13. 清华、南大科研成果快讯刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2003年10期页码:摘要：
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
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| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
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| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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