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摘要:
介绍集成电路制造技术90 nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50 nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望.
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热集成
水集成
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 集成电路迈向90nm新工艺
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 90 nm 应变硅 铜工艺
年,卷(期) 2003,(10) 所属期刊栏目 显微、测量、微细加工技术与设备
研究方向 页码范围 42-44
页数 3页 分类号 TN405
字数 2086字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.10.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱良辰 上海大学微电子研发中心 3 16 2.0 3.0
2 胡越黎 上海大学微电子研发中心 70 436 11.0 16.0
3 冉峰 上海大学微电子研发中心 107 529 10.0 18.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
90 nm
应变硅
铜工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
出版文献量(篇)
3266
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22
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