RHEED优化MBE异质材料生长工艺

• 作者: 尹志军 谢自力 邱凯
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反射式高能电子衍射 分子束外延 砷化镓 异质结 赝配结构高电子迁移率晶体管 二维电子气
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 20-26
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 5357字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.10.005

摘要

利用高能电子衍射振荡研究MBE异质材料生长工艺.优化了AlGaAs/InGaAs/GaAs材料生长工艺.通过霍耳测量、X射线双晶衍射及二次离子质谱研究了利用该工艺生长的AlGaAs/InGaAs/GaAs双δ掺杂PHEMT结构材料,获得了较好的材料参数.利用该材料研制器件也有较好的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱凯		8	33	3.0	5.0
2	尹志军		11	40	4.0	6.0
3	谢自力	南京大学物理系	19	44	5.0	6.0