关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究

• 作者: 刘宝利 刘林生 刘肃 周均铭 王佳 王文新 蒋中伟 赵宏鸣 陈弘 高汉超 黄庆安
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 反射高能电子衍射 量子阱 分子束外延
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3355-3359
• 页数: 5页
• 分类号: O46
• 字数: 3719字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.052

摘要

在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能,使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料,成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面,最佳生长温度窗口很小;反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比不敏感,难于通过观察再构图案的变化,准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中,观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下,在GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明:在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差,而在单层生长模式下量子阱光学性能较好,但是界面会变粗糙.利用这一特点,我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术,找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法.