硅单晶生长工艺参数建模及多目标优化

• 作者: 刘丁 黄伟超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体生长 工艺参数优化 计算流体动力学 第二代非支配排序遗传算法 多目标优化
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 页码范围: 2095-2101
• 页数: 7页
• 分类号: O782|TP18
• 字数: 4195字
• 语种: 中文

摘要

为了获得满足高品质硅单晶体生长的工艺参数,一种计算流体动力学(computational fluid dynamics,CFD)方法、数据处理组合法(group method of data handing,GMDH)型神经网络和第二代非支配排序遗传算法Ⅱ(nondominated sorting genetic algorithm Ⅱ,NSGA-Ⅱ)的混合策略被提出,并对Czochralski(Cz)法硅单晶生长进行建模和工艺参数的多目标优化.将包含了加热温度、晶转速度、埚转速度和提拉速度等四个设计变量的固液界面形变量h和缺陷评价准则V/G作为目标函数.通过CFD进行数值计算,获得GMDH训练所需要的样本,并建立目标函数多项式模型,最后利用NSGA-Ⅱ得到满足了Pareto最优解的工艺参数.通过实际工程验证,证明了所提出的混合策略为获取晶体生长工艺参数提供了一种新的数值计算方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丁	西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心	196	3213	31.0	45.0
3	黄伟超	西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心	5	69	4.0	5.0