微纳电子技术期刊
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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  • 作者: 刘康栋 李刚 赵建龙 金庆辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年6期
    页码:  266-271
    摘要: 微全分析系统(micro total analytical system,μTAS)是一个快速发展的领域,生物样品的富集和提取是样品分析的重要环节.由于生物样品种类多、成分复杂,在微芯片上富...
  • 作者: 陈朝 黄生荣
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年6期
    页码:  272-276
    摘要: 回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材料光辅助化学湿法刻蚀的机理、p-GaN材料湿法刻蚀的难点以及湿法刻蚀在GaN材料研究中的应用.
  • 作者: 艾玉杰 裴素华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年6期
    页码:  277-279
    摘要: 通过N2气氛高温退火、Nb2O5掺杂和采用梳状电极结构等方法,成功提高了TiO2基敏感材料的电导率.实验证明,降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代T...
  • 作者: 万江文 冯仁剑 王宝东
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年6期
    页码:  280-283
    摘要: 介绍了一种新型3D静电驱动微镜结构,对结构的下电极形状进行了改进,分析和比较了它们的几何参数与驱动电压之间的关系.通过理论分析表明,在其他几何参数一致的情况下,方形下电极单极板微镜结构的驱动...
  • 作者: 姚娉 杜立群 郭吉洪 闫卫平 马灵芝
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年6期
    页码:  284-287
    摘要: 根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型.在VC++开发环境下利用OpenGL技术,...
  • 作者: 张鉴 黄庆安
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年6期
    页码:  288-296
    摘要: 从ICP刻蚀装置、ICP刻蚀技术及模拟模型以及可用于ICP刻蚀模拟的CAD工具研究现状等几方面,对ICP刻蚀过程中所涉及的原理和模型做了较为详细的介绍和比较,以使对ICP刻蚀技术及模型有一个...
  • 作者: 牛萍娟 苗长云 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  298-304
    摘要: 介绍了共振隧穿器件及其特点,论述了该类器件及其集成技术的发展趋势和最新进展,特别是SiO2/Si/SiO2共振隧穿二极管及其集成电路的研制成功是一个突破性的进展.
  • 作者: 万青 丰平 王太宏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  305-310
    摘要: 在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能.对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0 mA/cm2的电流密度只需要4.5 V/μm的电场;对于线状ZnO纳米结构,获得1...
  • 作者: 刘育梁 陈鹏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  311-317
    摘要: 主要介绍了量子点激光器的产生、量子点的生长制作、激光器基本结构和性能、最新进展和未来发展要解决的问题.
  • 作者: 官建国 王振杰 甘治平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  318-321
    摘要: 用无皂乳液聚合法,通过控制聚合时电解质浓度([M])、丙烯酸浓度([AA])及其加入时机等条件合成了粒径和表面羧基含量可控的P(St-co-AA)乳胶粒子,研究了P(St-co-AA)乳胶粒...
  • 作者: 娄朝刚 李献杰 韩建栋
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  322-324,328
    摘要: 采用平均场模型和非平均场模型对半导体量子点的自组织生长过程进行了计算机模拟研究.结果表明两种模型给出了相似的量子点的大小分布,但在平均尺寸、数量以及覆盖面积随时间的变化上存在着差别,针对这些...
  • 作者: 刘兴钊 吴传贵 熊杰 黄雄飞
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  325-328
    摘要: 采用倒筒式直流溅射方法在(001)LaAlO3[LAO]基片上原位生长SrRuO3(SRO)薄膜,系统研究了基片温度、溅射气氛等工艺参数对SRO薄膜织构、表面形貌的影响.实验结果表明,在基片...
  • 作者: 冯宇翔 吴天准 董景新 赵长德
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  329-332
    摘要: 利用ATMEL公司的高速嵌入式单片机实现MEMS加速度计性能指标的自动测试,对系统中的模拟地与数字地分离、正负电压上电时间控制、温度信息采集、串口通讯协议等细节作了详细分析.结果表明,这是一...
  • 作者: 戴辉 董卫军 马奎
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  333-335
    摘要: 结合微操作机器人的特点,提出一种新型的三维整体式微纳操作器,利用有限元分析方法,在制造出整体式微纳操作器之前,对其进行了模拟测试,并从中找出了不足,基于Patran软件,研究出对静止力的模拟...
  • 作者: CHEN Bomy 宋志棠 封松林 张楷亮
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  336-339
    摘要: IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高.在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重...
  • 作者: 刘玉岭 张元 张建新 王娟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  340-344
    摘要: 探析了阳、阴离子树脂对SiO2溶胶中金属离子交换去除的机理,确定阳-阴-阳三步法对SiO2溶胶进行金属离子去除,而后由有机碱调节pH值至碱性稳定区,从而制得高纯度、高稳定性微电子CMP用Si...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年7期
    页码:  344
    摘要:
  • 作者: 翁寿松
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  345-349
    摘要: 介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式.在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65 nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要...
  • 作者: 何建廷 刘亦安 吴玉新 庄惠照 田德恒 薛成山
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  350-355,368
    摘要: 介绍了GaN基发光器件、电子器件以及GaN基紫外光(UV)探测器的研制和发展概况,描述了GaN基短波光电器件的研究进展并对其应用前景进行了展望.
  • 作者: 陈汝芬
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  356-360,364
    摘要: 综述了纳米CeO2的几种主要制备方法及其研究进展,并介绍了纳米CeO2的主要应用领域和研究前沿.
  • 作者: 沈海军 穆先才
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  361-364
    摘要: 采用扩展的Huckel方法与格林函数方法,分析了双Au电极作用下C60富勒稀分子的电子结构与电子输运特性.结果表明,C60富勒稀分子与Au电极"接触"后,其分子轨道能级发生了较大的变化,HO...
  • 作者: 吴振宇 汪家友 蒋昱
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  365-368
    摘要: 讨论了通过合理设计的工艺流程将低k氟化非晶碳材料应用到制造工艺中作为互连介质对集成电路性能的影响.基于一个互连结构简化模型计算出采用低k氟化非晶碳材料作为互连介质后RC延迟、功率耗散和线间串...
  • 作者: 廖小平 朱健 蔡洁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  369-373
    摘要: 介绍了一种带直流驱动电极交直流分离的MEMS开关,研究了影响开关阈值电压的因素,运用缩腰设计、尺寸优化等方法降低开关的阈值电压;运用阻抗匹配方法降低开关的反射损耗;利用等效电感的设计提高所需...
  • 作者: 刘菁 赵建龙 金庆辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  374-379
    摘要: MEMS技术在医药科学技术的一个重要应用是植入人体内的生物微系统(BioMEMS).该系统集微传感器、微驱动器、微流体系统、微光学系统及微机械元件于一体,用于体内器官的诊断、体内器官功能修复...
  • 作者: 唐孝明 唐高弟 张海
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  380-383
    摘要: 以微加工技术制作的薄膜体声波谐振器以及由它连接组成的滤波器为重点,介绍了其工作原理、结构模型以及相关参数,提出了一种薄膜体声波谐振器设计,并模拟了其构成射频带通滤波器的频率特性.
  • 作者: 叶明 王勇 王喜媛 王庆毅
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  384-387
    摘要: 描述了一种减少仿真时所需计算次数的新技术,使得产品的优化可通过参数的变化来实现,并介绍一种改进SA的算法对获得的结果进行优化.
  • 作者: 杨春利 胡松 赵立新 马平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  388-391
    摘要: 重点介绍新近开发的用于单、双面深度曝光的URE-2000S新型紫外光刻设备的技术背景、工作原理、结构组成、技术措施以及总体性能.该设备采用了国内首创的CCD图像底面对准技术、单曝光头实现双面...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  392
    摘要:
  • 作者: 刘明 易里成荣 李志钢 涂德钰 王丛舜 谢常青 龙世兵
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  393-397
    摘要: 介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论.
  • 作者: 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  398-404,424
    摘要: 通过对共振隧穿器件的特点、分类、工作原理、电流成分、器件参数等的介绍,为初学人员或非专业爱好人员提供一个对共振隧穿器件全面的、概括性的认识.

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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