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微纳电子技术2006年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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31. 半导体硅上激光诱导选择性化学镀铜刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构.在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响.
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33. 业界快讯刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年3期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年4期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 介绍了共振隧穿二极管物理模型的量子力学基础,重点讲解共振隧穿两种物理模型,从不同维度隧穿的特点分析共振隧穿和非共振隧穿的区别,为以后讨论分析共振隧穿器件的特性奠定基础.
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 介绍了共振隧穿二极管(RTD)中电荷积累效应,利用顺序隧穿模型分析了RTD中有电荷积累时器件各部分电压的再分布;并结合电压降局限于双势垒区和遍及整个RTD的两种情况,建立了电荷和电流方程;最...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 重点研究了由CdO-SnO2-WO3系列(简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7,CdSnO3,CdWO4)...
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38. CoPt磁性纳米材料的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 目前对CoPt磁性纳米材料的研究主要集中在CoPt磁性纳米颗粒、纳米线以及纳米薄膜三个方面,从这三个方面对CoPt磁性材料的研究进展进行详细地介绍.主要阐述了CoPt磁性纳米材料制备方法以及...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜.电阻率为5.57×10-4 Ω·cm,载流子浓度2.2×1020 cm-3,霍尔迁移率40.1 cm2/V·s,可见光范围内(...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 利用电润湿原理制备了一种新型受光反射型显示单元.利用具有良好黏合性、疏水性和耐油性的PDMS(聚二甲基硅氧烷)材料,研制了结构精简的反射型显示单元,成功地控制了显示单元中油滴的扩张与收缩,实...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 对Al2O3陶瓷衬底进行粒度为W20的金刚砂机械抛光,采用磁控溅射方法镀过渡层Mo,对其表面进行Nd:YAG激光刻蚀处理.最后在微波等离子体增强化学汽相沉积(MPCVD)反应腔中在一定条件下...
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42. 超高速电光采样技术及应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 介绍了电光采样测量系统的三大核心组成部分:超短脉冲激光光源、电光材料的采样探针以及时间扫描单元;还介绍了电光采样技术的新进展以及电光采样技术在超快器件频响评价、特定电场的描述以及太赫兹成像等...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点.结果...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 系统论述了近年来TiNi形状记忆合金(SMA)薄膜在MEMS技术中的应用研究.主要从该材料的特点在MEMS中的应用原理、制备技术方面进行了论述;探讨了MEMS技术中TiNi合金应用的关键技术...
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45. MEMS波长可调谐激光器及其进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 论述了MEMS波长可调谐激光器及其进展.介绍了几种不同类型的波长可调谐激光器,如基于表面微机械反射镜的MEMS可调谐激光器、基于深腐蚀圆形反射镜的MEMS可调谐激光器、基于闪耀光栅的MEMS...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 通过引入一种新概念型电开关,首次提出研究生物网络液体电路或具有普遍意义的导电性微流体系统中的电学关断问题,通过有选择性地对通路中的水性电溶液实施冻结,则其内在特定方向上传输电流的离子可因溶液...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍了毛细作用驱动的MEMS流体微器件自组装技术的研究和发展概况,并对组装中的自对准过程进行了模拟仿真.通过仿真模拟,证明即使在器件与衬底组装区域形状大小不同时,仍可能实现自对准.这说明自组...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 利用DSMC方法对不同扩张比及喉部尺寸的轴对称拉伐尔喷管流动现象进行了模拟分析,模拟中采用与实际分子碰撞过程更为接近的内能松弛模型及CLL物面反射模型.研究结果表明不同的扩张比及喉部尺寸对喷...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 针对平面5R柔顺机构的双稳态、多稳态特征综合问题进行研究,从机构弹性势能变化的角度分析机构的多稳态特征,对具有1～3个柔顺关节的情况进行了分析.证明当只有驱动关节为柔顺关节时,平面柔顺5R机...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 以微泵静电驱动结构为例,基于静电和弹性薄板理论,应用瑞利-黎兹能量法建立了周边固支边界条件下,静电驱动圆膜弯曲振动的谐振频率及相应振型的理论模型.位移振形的模态分析及频率计算结果均表明该计算...
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51. 多晶SiC梳齿驱动器的模态分析刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 碳化硅以其优异的电学、机械和化学性能成为极端条件下MEMS器件应用的首选材料.梳齿驱动器的固有频率是MEMS器件结构设计中的一个重要参数.采用有限元分析方法,对多晶SiC梳齿驱动器进行了模态...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 从扭臂式微驱动器模型出发,分析了器件在静电驱动条件下pull-in现象的产生条件,并给出公式化结果.讨论了器件的几何结构参数对于pull-in现象的影响,并对具体结构的器件给出了pull-i...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 结合MEMS微传感器和无线通信技术,研究了MEMS微加速度计检测信号的测量与无线传输技术,制定了二维加速度信号的无线测量系统方案,设计了系统电路,并完成了原型装置的制作与调试.实践表明,本系...
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54. 业界快讯刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年5期页码:摘要：
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55. 纳米技术将推动IC产业继续前进刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 在未来10～15年内有两条主流将引导IC产业的发展:一条是延续摩尔定律、纳米SiCMOS技术,以提高芯片的速度和频率;另一条是超越摩尔定律.后者分成三个支流:双核和多核处理器、纳米Si CM...
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56. 场致发射平板显示器的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示器是一种新型的平板真空器件.介绍了二极管型和三极管型场致发射显示器的各种基本结构,给出了场致发射平板显示器的基本行列矩阵寻址方式原理,重点分析和讨论了在...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异.研究表明:在脉冲测试条件下,Rs增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减...
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58. 异质结光晶体管的研究与进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数.综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 利用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备了能够发射红光的含咔唑的SiO2薄膜.测量了薄膜样品的发射谱,发现当激发波长从610 nm连续减小到400 nm时,样品的发射波长从760 nm连续蓝...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 对静电雾化的基本概念、原理和典型喷洒模式作了介绍,对静电雾化技术在纳米薄膜制备中的应用进行了阐述,最后对静电雾化技术在薄膜制备中存在的问题和影响薄膜微观结构和性能的因素作了总结.
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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