GaN HEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨

• 作者: 卢盛辉 周伟 夏建新 杜江锋 杨谟华 罗谦 靳翀
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电流崩塌 串联电阻 氮化镓高电子迁移率晶体管 表面态
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 270-272,283
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 1393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2006.06.003

摘要

基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异.研究表明:在脉冲测试条件下,Rs增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大.该实验结果可望通过RD与Rs表征研究导致GaN HEMT电流崩塌的表面态变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华	电子科技大学微电子与固体电子学院	58	278	8.0	11.0
2	杜江锋	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	52	5.0	6.0
3	靳翀	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	23	3.0	4.0
4	罗谦	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	63	5.0	6.0
5	周伟	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	50	5.0	6.0
6	卢盛辉	电子科技大学微电子与固体电子学院	8	13	2.0	3.0
7	夏建新	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	30	4.0	5.0