ULSI中低k介质的化学机械全局平坦化分析研究

• 作者: 刘玉岭 尹睿 张建新 李薇薇
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 全局平坦化 化学机械抛光 低k介质 机理 抛光液
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 154-158
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.2
• 字数: 3468字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2006.03.010

摘要

针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	李薇薇	河北工业大学微电子研究所	27	172	8.0	10.0
3	张建新	河北工业大学微电子研究所	45	348	10.0	15.0
4	尹睿	河北工业大学微电子研究所	2	16	2.0	2.0