微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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3266
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  • 作者: 丰伟 邓宁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年7期
    页码:  409-413,420
    摘要: 简要介绍了三维存储器出现的背景和几种得到广泛关注的三维存储器;建立模型分析了位成本缩减(BiCS)、垂直堆叠存储阵列(VSAT)和垂直栅型与非闪存阵列(VG-NAND)三种代表性的三维存储器...
  • 作者: 余兆安 冯雪 吕铁良 姚志宏 梁圣法
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年7期
    页码:  414-420
    摘要: 针对近年来脉冲量子级联激光器吸收光谱的研究进展,系统地综述了脉冲量子级联激光器吸收光谱扫描方法,如脉间光谱扫描法、脉内光谱扫描法和中脉冲光谱扫描法等,并对这些方法的扫描原理、实现方案、应用场...
  • 作者: 刘海 延玲玲 白一鸣 陈吉堃 陈诺夫
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年7期
    页码:  421-426
    摘要: 采用有限时域分析法研究了采用电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,其光吸收增强的情况.实验结果表明,电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,不仅可以...
  • 作者: 李朋 王海若 薛保平 黄运欢
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年7期
    页码:  427-432
    摘要: 应用时域有限差分法计算了由双缺口纳米环/纳米环腔构成的金纳米环复合体结构的消光光谱及其近场增强和电荷分布.计算结果表明,金纳米环复合体结构的光谱中出现了双重的法诺共振效应,通过改变外环缺口大...
  • 作者: 于连忠 孙晨 张忠山 矣雷阳 胡宗达
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年7期
    页码:  433-438,445
    摘要: 设计了一种新型的可用于地震检波器的三明治结构MEMS电容式加速度传感器,采用四层硅-硅键合技术获得双面梁-质量块结构与圆片级真空封装,其具有大电容、高分辨率的特点.传感器采用悬臂梁结构减少高...
  • 作者: 张忠强 王晓东 程广贵 葛道晗 董鑫 郭立强
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年7期
    页码:  439-445
    摘要: 采用分子动力学模拟的方法,探究温度梯度驱动下水银在石墨烯表面的流动特性.重点研究了石墨烯的全局热振荡对石墨烯表面水银运动的影响.研究表明:在稳定的温度梯度下,单层石墨烯模型与刚体石墨烯模型的...
  • 作者: 何凯旋 余成昇 展明浩 李凌宇 胡芳菲 许高斌
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年7期
    页码:  446-451
    摘要: 设计了一种量程为180 kPa的新型岛膜结构MEMS压阻式压力传感器,通过ANSYS仿真软件,得出了在岛宽为500 μm、岛厚为40 μm、梁宽为200 μm、敏感薄膜厚为15 μm的情况下...
  • 作者: 刘海 延玲玲 牟潇野 白一鸣 陈诺夫 高征
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年7期
    页码:  452-459,473
    摘要: 简述了目前一些贵金属纳米颗粒催化刻蚀Si表面微纳结构的研究工作,并叙述了催化刻蚀反应的主要过程.在系统介绍催化刻蚀化学反应机理的基础上,对催化刻蚀的阴极、阳极反应进行了细致的探讨.根据不同的...
  • 作者: 李俊锋 王防防 许淼 马小龙
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年7期
    页码:  460-466
    摘要: 在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响.较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区寄生电阻增大,驱动电流减小.提出了一种用于FinFET后...
  • 作者: 吴霞 富东慧 李秋 蒋永翔
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年7期
    页码:  467-473
    摘要: 近些年微喇曼光谱技术在微结构残余应力测量领域受到了广泛关注.简要介绍喇曼光谱应力测量方法的基本原理,重点介绍微喇曼光谱技术力学测量理论及其在微结构残余应力测量应用方面的研究进展.微喇曼光谱技...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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