微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 何进 常胜 王豪 纪堉超 黄启俊
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  353-359
    摘要: 多值逻辑(MVL)相对二值逻辑具有更高的逻辑密度,可以相对简单的结构承载更多的信息,是一条值得探索的提升电路信息处理能力的途径.以共振隧穿二极管(RTD)为主要器件,设计了一种带有进位信号的...
  • 作者: 江洋 田敏 钟汇才
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  360-363,393
    摘要: 基于金属-金属(metal-to-metal,MTM)反熔丝技术的可编程存储和逻辑器件已经得到广泛应用.制备了基于高介电常数材料HfO2的铝/氧化铪/铝(Al/HfO2/Al)结构的MTM反...
  • 作者: 张艺超 杨建红 王娇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  364-368
    摘要: 采用磁控溅射的方法制备了高质量的铁镍合金(Fe20Ni80)软磁性薄膜,探究了制备过程中溅射条件对Fe200Ni80薄膜质量的影响,包括溅射气压、溅射功率、退火温度和薄膜厚度等.这些条件或改...
  • 作者: 夏英杰 师巨亮 张曦 杨建业 韩颖
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  369-373
    摘要: 有效提高隧道结的峰值隧道电流密度(Jp)是提高多结太阳电池(MJSC)聚光倍数和光电转换效率的关键.根据有限表面源扩散原理求解Fick扩散方程得到了隧道结界面处杂质扩散浓度分布,发现隧道结界...
  • 作者: 刘源 张国军 张文栋 徐伟 白冰 韩建军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  374-380
    摘要: 由于当前四梁纤毛式MEMS矢量水听器的灵敏度与带宽之间相互制约,要想提高水听器的灵敏度往往需要以大幅牺牲带宽为代价,针对此问题提出了杯型矢量水听器,在大幅提高水听器灵敏度的同时仍具有一定的带...
  • 作者: 熊继军 董帅 陈晓勇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  381-386,393
    摘要: 首先分析了国内外关于微电子机械系统(MEMS)微发火器件的研究报道;接着从与MEMS微加工工艺兼容性、发火输出、安全性等角度对比了装药型微发火器件、爆炸箔基微发火器件、多孔硅基微发火器件、含...
  • 作者: 何洪涛 卞玉民 杨拥军 王伟忠
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  387-393
    摘要: 基于硅压阻效应,利用微电子机械系统(MEMS)技术,研制了一种可用于多种领域的高温绝压压力传感器.为了达到耐高温的目标,传感器芯片采用绝缘体上硅(SOI)硅片加工,并利用有限元软件ANSYS...
  • 作者: 刘连庆 周富元 王文学
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  394-400,419
    摘要: 提出了一种基于Hertz模型的最优化方法,并研究了不同质量浓度(0,50,100,150和200μg/mL)的白藜芦醇培养36 h后的乳腺癌细胞(MCF-7)的杨氏模量和能量耗散变化情况.实...
  • 作者: 孙孟君 朱燕艳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  401-405
    摘要: HfO2是一种很有应用前景的高k栅介质材料,稀土元素掺杂可以有效改进HfO2的性能.采用磁控溅射方法制备了Ge基HfGdO薄膜,即HfGdO/Ge异质结.X射线衍射结果显示这种方法制备的薄膜...
  • 作者: 夏英杰 师巨亮 张曦 牛晨亮 韩颖
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  406-409,419
    摘要: 对于GaAs/Ge反向畴(APD)的表征,常用的测试方法是扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)等,这些方法都存在局部表征所带来的测试误差问题.为此引入了...
  • 作者: 夏英杰 师巨亮 张曦 韩颖
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  410-414
    摘要: 通过传统的迁移率谱分析技术获得的半导体异质结构的迁移率谱中经常存在映像峰,这些峰无实际的物理意义,却能降低真实载流子电学参数的精确度.提出一种最大熵法计算电导密度函数(迁移率谱)的优化方法,...
  • 作者: 李炘琪 董盈红 蔡允高
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年6期
    页码:  415-419
    摘要: 以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,采用改进的Stober法(在反应体系中添加电介质NaCl),获得了260~960 nm尺寸的亚微米SiO2颗粒,通过扫描电镜(SEM)对其球形度、单分散性等进...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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