基于HfO2的MTM反熔丝编程特性研究

• 作者: 江洋 田敏 钟汇才
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反熔丝 金属-金属(MTM) HfO2 击穿电压 漏电流 寿命
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 360-363,393
• 分类号: TN389
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.06.002

摘要

基于金属-金属(metal-to-metal,MTM)反熔丝技术的可编程存储和逻辑器件已经得到广泛应用.制备了基于高介电常数材料HfO2的铝/氧化铪/铝(Al/HfO2/Al)结构的MTM反熔丝单元,并对该单元的编程特性、击穿电压、编程后电阻、编程前漏电流、经时击穿(TD-DB)和使用寿命等特性进行了研究.测量结果显示,基于较薄高介电常数材料HfO2介质的MTM反熔丝器件在获得较低击穿电压的同时,依然保持较小的编程前漏电流、非常高的开关电阻比以及良好的可靠性和寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟汇才	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	12	15	2.0	3.0
2	田敏	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	5	4	1.0	2.0
3	江洋	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	9	2.0	2.0