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微纳电子技术2020年第3期出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
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总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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1. 摩擦纳米发电机及其应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 摩擦纳米发电机(TENG)可以收集环境中不同形式的机械能并将其转化成电能,具有材料选择广泛、制作成本低廉、可多功能集成等优势.详细介绍了TENG的基本概念,比较说明了TENG与传统电磁发电机...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 采用湿法纺丝的方法制备了石墨烯纤维无纺布电极,并将该电极应用于超级电容器.电化学测试结果表明,160 μm厚的石墨烯纤维无纺布电极质量比容量高达164 F·g-1(电流密度为0.1A·g-1...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 共价有机框架(COF)是一类由C、O、N和B等元素通过共价键连接的特殊有机多孔结晶材料,是金属有机框架(MOF)材料后又一重要的三维有序材料,其具有多种有机官能团结构,兼具很低的骨架密度和较...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 模仿昆虫复眼中的偏振敏感神经结构,利用四方向金属纳米光栅、互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和微控制器(MCU)设计了高度集成化的仿生偏振导航传感器.首先,利用纳米压印工艺将四方向金...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 柔性压阻式压力传感器是可穿戴健康监测系统和人机交互设备的重要组成部分.在实际应用中,对具有高灵敏度和宽线性范围的压阻式压力传感器的需求迫切.以石墨烯油墨为功能层、聚二甲基硅氧烷(PDMS)为...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 基于金刚石氮空位(NV)色心系综的磁传感器磁场检测的绝对灵敏度与光探测磁共振(ODMR)的解调曲线的最大斜率呈反比,而解调曲线的斜率主要取决于磁传感器的调制参数.重点研究了磁传感器的灵敏度与...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 结直肠癌(CRC)转移过程中会发生上皮间质转化(EMT),在EMT过程中癌细胞会改变其物理特性来增强侵袭潜能.有假设认为侵袭性强的细胞比侵袭性低的细胞更易变形,但对于CRC而言仍不清楚.通过...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 细胞的三维培养是目前的研究热点,其主要依赖于微尺寸下水凝胶细胞支架的制备.常规的3D打印是常用的细胞支架制备技术,但其无法同时满足打印范围和打印精度的需求,且存在打印速度慢的局限性,这限制了...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 以柠檬酸和硫脲为前驱体,采用微波辅助法一步合成了氮硫共掺杂的荧光碳量子点,可用于具有高选择性和高灵敏度的Fe3+快速检测.通过透射电子显微镜(TEM)、紫外吸收光谱、荧光光谱和傅里叶变换红外...
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10. 聚焦离子束刻蚀铌酸锂的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 铌酸锂物理性能稳定,电光、声光及非线性光学效应优异,是集成光学器件中重要的光学材料.然而,目前铌酸锂材料的加工工艺无法满足复杂且小型化的集成光路发展需求.聚焦离子束(FIB)是一种无掩膜、高...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 提出了一种利用椭圆偏振测量进行纳米薄膜参数数据处理的混合优化算法.以人工神经网络模型为基础,利用改进粒子群算法选择人工神经网络中的权值和阈值,建立改进粒子群-神经网络(IPSO-NN)算法模...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 通过水热法合成了不同形貌的氧化锌(ZnO)气敏传感材料,利用X射线衍射仪和热场发射扫描电子显微镜对其进行了结构表征和分析,研究了不同的水热因素对其形貌的影响.利用Agilent B2900A...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年3期页码:摘要： 采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀.采用同步加速X射线衍射仪和光学显微镜对外延前后基面位错(BPD)形貌进行...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
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| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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