4H-SiC同质外延基面位错的转化

• 作者: 吴会旺 杨龙 赵丽霞
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 同质外延片 基面位错(BPD) 刃位错 侧向生长 碳硅比
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 250-254
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24|TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2020.03.013

摘要

采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀.采用同步加速X射线衍射仪和光学显微镜对外延前后基面位错(BPD)形貌进行系统表征,分析了基面位错向刃位错转化的过程.外延生长过程中同时存在台阶流生长和侧向生长(即垂直于台阶方向)两种模式,当侧向生长模式占主导时,能够有效地抑制基面位错向外延层的延伸;当台阶流生长模式占主导时,基面位错延伸至外延层.结果 表明,随着碳硅比增加,外延层基面位错密度能够降低至0.05 cm-2,这是由于侧向生长增强导致的.通过优化碳硅比,能够制备出高质量的4H-SiC同质外延片,其基面位错密度和表面缺陷密度分别为0.09和0.12 cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵丽霞		14	36	4.0	5.0
5	杨龙		3	0	0.0	0.0
9	吴会旺		6	0	0.0	0.0