中国科学(物理学 力学 天文学)期刊
出版文献量(篇)
2745
总下载数(次)
4
总被引数(次)
14752

中国科学(物理学 力学 天文学)

SCIENTIA SINICA Physica,Mechanica & Astronomica ( )
曾用名: 中国科学G辑

CSTPCD

影响因子 0.3720
《中国科学》是中国科学院主办、中国科学杂志社出版的自然科学专业性学术刊物。《中国科学》任务是反映中国自然科学各学科中的最新科研成果,以促进国内外的学术交流。《中国科学》以论文形式报道中国基础研究和应用研究方面具有创造性的、高水平的和有重要意义的科研成果。 在国际学术界,《中国科学》作为代表中国最高水平的学术刊物也受到高度重视。国际上最具有权威的检索刊物SCI,多年来一直收录《中国科学》的论... 更多
主办单位:
中国科学院
ISSN:
1674-7275
CN:
11-5848/N
出版周期:
月刊
邮编:
100717
地址:
北京东黄城根北街16号
出版文献量(篇)
2745
总下载数(次)
4
总被引数(次)
14752
文章浏览
目录
  • 作者: 乔明 张波 李肇基 章文通
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  1-18
    摘要: 本文基于从表面场到体内场优化的思想,综述了超结器件的基本理论与两类解析优化法.超结与一般功率MOS结构的本质区别是:前者为N/P型周期排列的结型耐压层,后者为单一导电型的阻型耐压层,超结在耐...
  • 作者: 张春福 张进成 成步文 郝跃 韩根全
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  19-35
    摘要: 本文讨论了非硅微电子学,即在硅衬底上利用非硅沟道材料实现互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路的微电子科学...
  • 作者: 卢细裙 吴俊 姚尧 王鹏飞
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  36-45
    摘要: 动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术....
  • 作者: 刘力俊 张志勇
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  46-62
    摘要: 硅基互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)场效应晶体管工艺已经发展到了14 nm技术节点,预计将很快到达其极限,需...
  • 作者: 常亮 张有光 彭守仲 王乐知 王昭昊 赵巍胜
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  63-83
    摘要: 基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写入等优点而有...
  • 作者: 刘新宇 包琦龙 化梦媛 唐智凯 杨树 王鑫华 陈敬 魏珂 黄森
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  84-99
    摘要: 氮化镓(GaN)功率电子器件具有高击穿电压、高工作频率、高电流输出能力以及耐高温等优点,有望成为下一代高效电源管理系统芯片的最佳候选之一.本文从界面态起源、极化能带工程以及可靠性机理等角度分...
  • 作者: 刘春森 周鹏 张卫
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  100-118
    摘要: 多功能低功耗芯片中存储、计算与通讯功能各模块的占用面积、数据交换速率等因素已经成为集成电路发展的瓶颈问题.可满足大数据核内传输速率的未来系统架构中高密度高性能存储技术需具备超低功耗、超小器件...
  • 作者: 吴良才 周夕淋 宋志棠 封松林 饶峰
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  119-127
    摘要: 作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相交存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的...
  • 作者: 廖蕾 邹旭明
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  128-137
    摘要: 近些年来,石墨烯由于其独特的层状结构和电学特性已经成为国内外关注的焦点.随着石墨烯研究的快速发展及材料制备技术的不断革新,其他具有二维层状结构特征的材料,如过渡金属硫化物(Transitio...
  • 作者: 刘明 刘琦 吕杭炳 龙世兵
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  138-164
    摘要: 阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一,与传统浮栅闪存相比在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面...
  • 作者: 刘明 刘琦 卢年端 姬濯宇 宗旨威 李泠 裘德龙
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  165-170
    摘要: 随着三维集成阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)集成度的不断提高,由焦耳热引起的热效应将会严重影响器件的稳定性、可靠性及寿命.因此,三维集成R...
  • 作者: 刘明 刘琦
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  前插1
    摘要: 集成电路技术的快速发展,推动了人类社会各行业的蓬勃发展.然而,随着集成电路工艺特征尺寸的持续缩小,基于硅基的逻辑和存储器件单纯依靠尺寸微缩来提高性能和集成度己遇到难以克服的物理障碍,因此,以...
  • 作者:
    发表期刊: 2016年10期
    页码:  封3,封2
    摘要:

中国科学(物理学 力学 天文学)基本信息

刊名 中国科学(物理学 力学 天文学) 主编 王鼎盛 张杰
曾用名 中国科学G辑
主办单位 中国科学院  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1674-7275 CN 11-5848/N
邮编 100717 电子邮箱 Physics@scichina.org
电话 010-64015835 网址 www.scichina.com
地址 北京东黄城根北街16号

中国科学(物理学 力学 天文学)评价信息

该刊被以下数据库收录

中国科学(物理学 力学 天文学)统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊