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STT-MRAM存储器的研究进展
STT-MRAM存储器的研究进展
作者:
常亮
张有光
彭守仲
王乐知
王昭昊
赵巍胜
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
垂直磁各向异性
自旋转移矩
自旋轨道矩
双界面磁隧道结
磁性随机存储器
低功耗
非易失
摘要:
基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写入等优点而有望成为下一代低功耗通用存储器.尤其是近年来STT-MRAM商用芯片的成功问世进一步推动了该器件的研究与应用.本文首先阐述了MRAM的基本原理与发展历程,着重介绍了写入技术的演变以及磁各向异性的改善.然后总结了近期在3个领域的研究成果:(1)学术界开展了大量研究以探讨制备工艺和器件结构等因素对界面垂直磁各向异性的影响;(2) CoFeB-MgO双界面结构被提出,该结构在不增大写入电流的前提下增强了磁隧道结的热稳定性势垒;(3)新兴的自旋轨道矩写入方式引起了广泛的关注,该技术有望解决传统自旋转移矩所面临的速度瓶颈和势垒击穿风险.最后,本文扼要地介绍了STT-MRAM在芯片设计领域的最新进展.
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文献信息
篇名
STT-MRAM存储器的研究进展
来源期刊
中国科学(物理学 力学 天文学)
学科
关键词
垂直磁各向异性
自旋转移矩
自旋轨道矩
双界面磁隧道结
磁性随机存储器
低功耗
非易失
年,卷(期)
2016,(10)
所属期刊栏目
评述
研究方向
页码范围
63-83
页数
21页
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.1360/SSPMA2016-00185
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
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张有光
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王昭昊
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彭守仲
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常亮
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垂直磁各向异性
自旋转移矩
自旋轨道矩
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磁性随机存储器
低功耗
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研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
中国科学(物理学 力学 天文学)
主办单位:
中国科学院
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-7275
CN:
11-5848/N
开本:
出版地:
北京东黄城根北街16号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
chi
出版文献量(篇)
2745
总下载数(次)
4
总被引数(次)
14752
相关基金
中国博士后科学基金
英文译名:
China Postdoctoral Science Foundation
官方网址:
http://www.chinapostdoctor.org.cn/index.asp
项目类型:
学科类型:
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
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