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动态随机存储器器件研究进展
动态随机存储器器件研究进展
作者:
卢细裙
吴俊
姚尧
王鹏飞
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
动态随机存储器
短沟道效应
掩埋字线
阵列访问晶体管
存储电容
摘要:
动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单元结构等方面的技术演进.介绍了多种基于U形沟道晶体管的DRAM存储单元以及6F2存储单元的制造方法.基于多项关键技术突破,对下一代DRAM芯片的关键器件工艺的技术发展趋势进行了推测.即:(1)阵列选择晶体管持续使用U形晶体管;(2)低k材料会被大规模使用来降低位线寄生电容;(3)提高灵敏放大电路的灵敏度和随温度来动态调整刷新频率来降低对存储电容的要求;(4)更多关注低功耗设计而不是一味地增大存储容量.
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功耗电流
退火效应
用反馈网络实现动态联想存储器
动态联想存储器
基本向量
吸引子
内容分析
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文献信息
篇名
动态随机存储器器件研究进展
来源期刊
中国科学(物理学 力学 天文学)
学科
关键词
动态随机存储器
短沟道效应
掩埋字线
阵列访问晶体管
存储电容
年,卷(期)
2016,(10)
所属期刊栏目
评述
研究方向
页码范围
36-45
页数
10页
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.1360/SSPMA2016-00164
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王鹏飞
15
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5.0
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吴俊
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5.0
3
姚尧
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研究主题发展历程
节点文献
动态随机存储器
短沟道效应
掩埋字线
阵列访问晶体管
存储电容
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国科学(物理学 力学 天文学)
主办单位:
中国科学院
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-7275
CN:
11-5848/N
开本:
出版地:
北京东黄城根北街16号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
chi
出版文献量(篇)
2745
总下载数(次)
4
总被引数(次)
14752
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