真空电子技术期刊
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真空电子技术

Vacuum Electronics

CSTPCD

影响因子 0.1767
本刊1959年创刊,现为双月刊,国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊,电真空情报网网刊,中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件;CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件;照明光源;真空获得、测量、控制;气体分析;表面技术;电子材料及特殊工艺等方面的... 更多
主办单位:
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉:
编辑质量奖 
ISSN:
1002-8935
CN:
11-2485/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
100015
地址:
北京749信箱7分箱
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  • 作者: 刘纯亮 李永东 李黎
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年3期
    页码:  59-61,69
    摘要: 完全匹配层是目前电磁场数值计算中比较理想的吸收边界,它对任意频率、任意入射角的电磁波的理论反射系数都为零.但由于数值离散的原因,完全匹配层边界仍然会产生一定的数值反射.本文通过理论分析,发现...
  • 作者: 刘绍义 周洪军 张允武 徐朝银 洪义麟 蒋迪奎
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年3期
    页码:  62-63
    摘要: 光束线真空联锁保护系统的主要功能是在束线薄窗破裂或实验站发生灾难性事故时,防止大气直接冲人储存环真空系统,并尽量减少漏入环真空室的气体量.光束线真空联锁保护系统主要由快阀、门阀、压力传感器(...
  • 作者: 何江龙 张晓燕 张树兵 王建平 薛寅复
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年3期
    页码:  64-67
    摘要: 通过对74 cm中分辨率纯平彩色显像管BC配列局部严重群散不良的调查分析,确定荫罩受力塌陷是主要原因,通过改良设计、工艺优化及其它方面的综合对策,使以上技术难题得到满意的解决,整管不良率由4...
  • 作者: 胡平瑞 胡跃进 芮杰
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年3期
    页码:  68-69
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年3期
    页码:  70
    摘要:
  • 作者: 李庆和
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  1-2
    摘要:
  • 作者: 张巨先 高陇桥
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  3-6
    摘要: 在陶瓷金属化层中加入α-Al2O3等超微复合粉体,取得了金属化层致密、封接强度提高和金属化温度降低的明显效果.
  • 作者: 董笑瑜
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  7-9
    摘要: 介绍了非氧化物陶瓷(AlN+SiC)衰减器的封接工艺:用氢化钛和铜银粉在真空炉中进行活性金属化,抛光后在卧式烧氢炉中与可伐焊接,在立式烧氢炉中与铜腔片焊接;同时初步分析了封接机理:钛与熔化的...
  • 作者: 张洪波 彭建中 郑元善
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  10-12,23
    摘要: 介绍了采用高纯超细氧化铝粉料,用凝胶注模成型方法制备高纯细晶粒氧化铝陶瓷的工艺,采用适当的分散剂,制备出了固相体积含量为57%,具有良好流动性的氧化铝浆料.在较低的温度(1480~1510℃...
  • 作者: 李懋强
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  13-16
    摘要: 目前以氟金云母为基材的可加工绝缘材料大多通过微晶玻璃工艺制造,由于受设备和工艺的限制,所制造出的材料的尺寸不可能很大,一般直径在150 mm以内,长度不大于300 mm.本文提出了一种利用陶...
  • 作者: 张洪波 彭建中 郑元善
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  17-19
    摘要: 对适用于固体激光器聚光腔的氧化铝陶瓷的漫反射性能进行分析比较,探讨了其化学组成、显微结构对漫反射性能和力学性能的影响.采用超细氧化铝粉料,制造出漫反射率大于99%,弯曲强度大于200 MPa...
  • 作者: 吴金岭 邹勇明 郑宏宇
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  20-23
    摘要: 阐述了钨金属化与氧化铝陶瓷高温共烧工艺的特点,分析了烧结过程中温度曲线和露点等工艺参数对钨金属化与瓷件结合强度、密封气密性和收缩率的影响.通过反复的试验和烧结机理分析对比,给出了最佳的控制参...
  • 作者: 尹文学 康金生 肖东梅 赵世柯 赵建东
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  24-27
    摘要: 对BeO陶瓷材料的性能、应用方面的进展情况进行了回顾与总结,从技术成熟度、工艺适应性等方面对BeO材料技术和应用发展趋势进行了评述.
  • 作者: 丘泰 姚义俊 沈春英 焦宝祥
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  28-31
    摘要: 研究了三种稀土氧化物对氧化铝陶瓷烧结性能和力学性能的影响.研究结果表明:含Y2O3,La2O3,Sm2O3的添加剂促进了氧化铝瓷的烧结,提高了氧化铝瓷的力学性能.Y2O3和Sm2O3掺量为0...
  • 作者: 韩忠德
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  32-34
    摘要: 简要介绍了活性合金焊料箔直接封接陶瓷-金属的基本特点及用于真空开关管陶瓷-金属非匹配性一步封接所获得的较好预期结果.
  • 作者: 孙爱民 张云鹤 鲁燕萍
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  35-37
    摘要: 以两种结构的99Al2O3陶瓷的烧成为例,研究了烧成工艺对烧成结果的影响,分析了99Al2O3陶瓷烧成时开裂的原因,并提出了有效的解决方案.
  • 作者: 彭小利 阎学秀
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  38-41
    摘要: 本文就丝网印刷在片式氧化铝陶瓷散热基片中的应用、工艺及操作要点进行了总结.
  • 作者: 朱军 浦雪琴
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  42-44
    摘要: 通过改变氧化铝陶瓷的烧成制度,对同配方的氧化铝陶瓷进行了体积密度、抗折强度、体积电阻率、金属化抗拉强度等试验,探讨了烧成制度对氧化铝陶瓷相关性能的影响,确定了一种适用于金属化的氧化铝陶瓷的烧...
  • 作者: 何晓梅 王卫杰
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  45-48
    摘要: 对应用在真空电子管中的Ag-Cu-Ni焊料进行X射线荧光分析、封接性能测试以及显微结构观察,从理化分析的角度来说明该使用焊料的可行性.
  • 作者: 杨东亮 杨庆伟 王安英 韩晓东
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  49-51
    摘要: 研究了不同氧化铝含量的电真空陶瓷管壳配方组成与性能的关系,分析了等静压工艺技术生产电真空陶瓷管壳的诸多因素,并对等静压工艺生产电真空陶瓷管壳的工艺控制、氧化铝含量与性能的关系以及对陶瓷金属化...
  • 作者: 刘馨雨 李茂模
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  52-53
    摘要: 采用等静压成型技术和特殊的研磨、造粒控制技术,研制出直径超过200 mm的薄壁电子真空陶瓷管,产品成品率高,生产成本大大降低.
  • 作者: 荀燕红
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  54-55
    摘要: 介绍小型能量输出窗的封接工艺,包括结构设计,材料的选择及结果的测试.
  • 作者: 赵泽浩
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  56-57
    摘要:
  • 作者: 姚志琪
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  58-59
    摘要: 本文就真空开关管用陶瓷壳表面上釉所存在的崩釉和气泡问题,进行分析,并提出解决办法.
  • 作者: 方天恩 龚金荣
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  60-62
    摘要: 氧化铍陶瓷原料纯度、杂质含量、煅烧温度、颗粒度分布、成型方法、烧结曲线陶瓷基片十分重要.特别是成瓷后的基片晶粒大于45 μm,直接影响抗折强度、体积密度、金属化抗拉强度(晶粒粗大抗拉强度低于...
  • 作者: 张振霞 张荣华 李秀霞 王艳
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年4期
    页码:  63-64
    摘要: 电真空器件中常用的不锈钢、纯铁、可伐等材料在氢气炉中焊接,需电镀一层Ni作为保护层,不同材料焊接温度不同,所需最佳镀Ni层的厚度也不同,找出最佳镀Ni层厚度,经常监测与检测,可提高焊接质量及...
  • 作者: 张晓兵 李晓华 李晨 赵红平 雷威
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  1-6
    摘要: 目前在平板显示器中占据统治地位的是液晶显示器(LCD),它的市场规模已经接近传统的CRT器件.本文回顾了现阶段液晶显示器的几个研究热点,包括透反射液晶显示器、多晶硅薄膜晶体管技术及硅基液晶.
  • 作者: 张健 张晓兵 李晨 狄云松 王琦龙 王金婵 雷威
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  7-11,30
    摘要: 有机电致发光显示技术是近年内出现的新型显示技术,本文在对有机发光显示发展的历史、工作机理、结构类型简要介绍的基础上,着重论述它的材料与结构方面的发展及现状,并展望其器件的发展方向及市场占有.
  • 作者: 宫玉彬 王文祥 赵国庆 黄民智
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  12-14,42
    摘要: 介绍了一种设计简单、加工方便的TEd01-TEd0n模式变换器的设计计算方法,实际制作了TEd01模到TEd02,TEd03,TEd04模的三种变换器并进行了测试,测试结果表明,这种变换器实...
  • 作者: 刘纯亮 孙鉴 梁志虎 魏巍
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  15-17
    摘要: 开发了一种彩色AC-PDP的最大子场数目显示方法,利用子场编码的冗余特性,在不更改现有技术的前提下,有效地解决了彩色AC-PDP中存在的与放电单元有关的电路负载所引起的OverBrighne...

真空电子技术基本信息

刊名 真空电子技术 主编 廖复疆
曾用名
主办单位 北京真空电子技术研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1002-8935 CN 11-2485/TN
邮编 100015 电子邮箱 VETECH@163.com
电话 010-84352012 网址
地址 北京749信箱7分箱

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