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真空电子技术2008年第3期出版文献
出版文献量（篇）
2372
总下载数（次）
7
总被引数（次）
8712
真空电子技术
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Vacuum Electronics
影响因子
0.1767
本刊1959年创刊，现为双月刊，国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊，电真空情报网网刊，中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件；CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件；照明光源；真空获得、测量、控制；气体分析；表面技术；电子材料及特殊工艺等方面的...
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主办单位：
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉：
编辑质量奖
ISSN：
1002-8935
CN：
11-2485/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
100015
地址：
出版文献量（篇）
2372
总下载数（次）
7
总被引数（次）
8712
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了具有截止圆波导的盒形窗的设计方法,使得盒形窗的尺寸大大缩小,结构紧凑,极大地拓宽了盒形窗的频带.针对这种新型盒形窗的主要结构参数,利用HFSS得出了各个参数对其驻波系数的影响,从而找到...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 利用高光谱数据光谱分辨率高,充分反映物质表面信息的优点,以及其具有的区域化变量的特点,尝试建立一种对物质表面均匀度,成分分布进行快速检测的模型.它在变差函数能描述区域化变量的空间结构性基础上...
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3. 动态信息刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要：
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 针对某型空间行波管的结构设计,利用ANSYS有限元软件模拟计算了收集极的传热特性,并对收集极传热特性中的诸多影响因素进行了分析研究.结果表明,收集极与绝缘陶瓷材料的导热率以及各组件之间的接触...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 根据电磁理论和光栅方程给出线源天线能量辐射的解析公式,得到波的矢量积分的最大值与阵元数目的平方成正比.并在不同实验条件下测试天线阵列在轴向的电场强度和能量密度,在实验误差范围内可以得出,电场...
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6. 耦合腔慢波结构的特性分析刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 计算耦合腔慢波结构特性的方法很多,但是直接计算还比较困难,主要是因为耦合腔复杂形状造成的.等效电路方法是一个非常有效的、快速计算耦合腔色散特性和无损、有损耗情况下各个耦合腔电压、电流分布的方...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 采用三维电磁场模拟软件ISFEL3D计算分析了圆柱盒型窗在加工制作过程中,几种可能出现的两端矩形波导位置偏差对输出窗传输特性的影响,给出了驻波比随偏差量的数值关系曲线,并重点研究了哪些偏差有...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 对谐波注入技术进行了系统地分析,给出了计算机模拟结果和实验数据,并对所得结果进行了比较,得到了谐波注入技术能够有效提高行波管基波输出功率和展宽行波管带宽的结论.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 采用场分析基本概念,利用两种方法计算间隙阻抗,不仅方便的得出阻抗实部和虚部,而且两种方法所得的结果十分吻合.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 对太阳能光伏电池的发展现状进行了综述,重点论述了气相沉积技术及其在非晶硅、CIGS等薄膜太阳电池薄膜制备中的应用,并对气相沉积技术及太阳能光伏电池的发展前景进行了展望.
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11. GaN基蓝光LED关键技术进展刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 以高亮度GaN基蓝光LED为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击,并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点.本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光LED制程的关键...
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12. 彩色显像管低发射的分析与对策刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 介绍了显像管制造过程中常见的导致显像管低发射的原因,低发射的分析方法,并给出了预防对策.
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13. 一种修复真空管内部参数的方法刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： KMF-1017大功率微波管是我国自己设计制造的一种大功率的真空电子器件,其脉冲功率高达20 MW,管内真空度为6.65×10-7Pa.本文介绍一种通过在真空管外的调整来修复管子内部参数的方...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 主要以SiO2含量对硼硅酸盐一锂辉石玻璃性能进行了研究,通过调整配比,得出一种低烧、低介的性能优良的玻璃粉末.当硅含量为80.95(摩尔比)的介电常数ε为4.3,介质损耗tgδ为1×10-3...
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15. 玻璃、陶瓷表面Ni-P化学镀研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 在普通平板玻璃和空心陶瓷基材表面沉积Ni-P合金.对镀液成分及用量、温度、pH值、施镀时间等工艺参数用均匀设计进行组合筛选,获得可沉积光亮Ni-P镀层的中低温酸性玻璃基体Ni-P化学镀工艺:...
真空电子技术基本信息
| 刊名 | 真空电子技术 | 主编 | 廖复疆 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 北京真空电子技术研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1002-8935 | CN | 11-2485/TN |
| 邮编 | 100015 | 电子邮箱 | VETECH@163.com |
| 电话 | 010-84352012 | 网址 | |
| 地址 | 北京749信箱7分箱 |
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