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刊名：化工学报

发表时间：2017-01-01

摘要:

利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性.原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si3N4覆盖层可以有效抑制3C-SiC缓冲层的形成;低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量.5.08 cm蓝宝石衬底上石墨烯材料,室温下非接触Hall测试迁移超过1000 cm2·V-1·s-1,方块电阻不均匀性为2.6%.相对于Si衬底和蓝宝石衬底,SiC衬底上生长石墨烯材料的表面形态学更好,缺陷更低,晶体质量和电学特性更好,迁移率最高为4900 cm2·V-1·s-1.

石墨烯绝缘衬底化学气相沉积表面形态学电学特性

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2.【期刊】蓝宝石衬底上PECVD生长石墨烯及其气敏传感器

作者：何泽召冯志红刘庆彬李娴蔚翠蔡树军谢丹

刊名：化工学报

发表时间：2017-11-01

摘要:

在蓝宝石衬底上,利用PECVD在相对较低的温度和相对短的时间制备石墨烯.实验发现,在950℃,生长15 min,可制备纳米晶石墨烯.所制备的石墨烯为双层结构,存在较多的缺陷,使得其适合用于制作气敏传感器.制作的纳米晶石墨烯气敏传感器对甲醛气体显示出良好的响应和恢复特性.分析发现纳米晶石墨烯中大量的晶界和褶皱使气体的吸附和解吸附能垒降低是其表现出良好气敏特性的主要原因.

石墨烯吸附膜测量甲醛曝气

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3.【专利】半悬浮石墨烯场效晶体管制备方法

发明人：冯志红何泽召李佳蔚翠刘庆彬芦伟立

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

公开时间：2015-11-11

摘要:

本发明公开了一种半悬浮石墨烯场效晶体管制备方法，涉及晶体管技术领域。包括如下步骤：在衬底上涂覆光刻胶，形成光刻胶图形；以光刻胶图形作为掩膜，形成具有凹槽的衬底结构；通过化学气相沉积法制备金属基石墨烯；在金属基石墨烯的上表面上沉积一层金属层；腐蚀掉金属基石墨烯下方的金属基，形成石墨烯组件；将石墨烯组件转移至具有凹槽的衬底结构上；在金属层的上表面形成第二光刻胶图形；以第二光刻胶图形作为掩膜，形成漏电极和源电极；以第二光刻胶图形作为掩膜，在绝缘介质上沉积栅金属。所述方法避免了石墨烯受到损伤和沾污，通过石墨烯和衬底分离，降低来自衬底的界面散射，实现石墨烯中载流子的高迁移率，提高石墨烯晶体管的高频性能。

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4.【专利】一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法

发明人：王晶晶冯志红何泽召蔚翠

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

公开时间：2013-09-04

摘要:

本发明公开了一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，包括以下步骤：一、在衬底上形成高阻金刚石层；二、在高阻金刚石层的上表面经处理形成氢端基金刚石；三、将上述样品置于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极性分子或官能团，从而在氢端基金刚石下表面10-20nm处形成p型导电沟道，在氢端基金刚石的上表面形成极性分子吸附层；四、将上述样品取出后常温淀积介质阻挡层。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在20℃-500℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。

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5.【专利】用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底

发明人：王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝张雄文宋旭波何泽召蔚翠

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

公开时间：2013-08-21

摘要:

本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半绝缘衬底背面制作多孔结构，可以大幅降低肖特基二极管的寄生电容，提高肖特基二极管的截止频率，同时也可以增加肖特基二极管的散热能力，提高肖特基二极管用于倍频时的转换效率。

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6.【专利】一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法

发明人：王晶晶冯志红何泽召蔚翠

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

公开时间：2016-01-20

摘要:

本发明公开了一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，包括以下步骤：一、在衬底上形成高阻金刚石层；二、在高阻金刚石层的上表面经处理形成氢端基金刚石；三、将上述样品置于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极性分子或官能团，从而在氢端基金刚石下表面10-20nm处形成p型导电沟道，在氢端基金刚石的上表面形成极性分子吸附层；四、将上述样品取出后常温淀积介质阻挡层。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在20℃-500℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。

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7.【专利】一种石墨烯晶体管及制备方法

发明人：蔚翠何泽召刘庆彬宋旭波王晶晶周闯杰郭建超冯志红

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

公开时间：2018-04-13

摘要:

本发明公开了一种石墨烯晶体管及制备方法，属于半导体器件技术领域，石墨烯晶体管包括衬底，衬底的上表面设有石墨烯PN结，石墨烯PN结两侧设有源、漏接触电极；石墨烯PN结的P区或N区设有与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。该方法包括在衬底上制作石墨烯PN结；在石墨烯PN结两侧制作源、漏接触电极；在石墨烯PN结上制作与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。本发明利用石墨烯PN结中的载流子通过PN结的几率与PN结的夹角相关特性，在石墨烯PN结的P区或N区制作与PN结成45°夹角的栅极，使载流子通过具有45°夹角的两个PN结时被完全反射，从而实现石墨烯晶体管的自由开关。

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8.【专利】金刚石基场效应晶体管的制备方法

发明人：王晶晶蔚翠张雄文郭建超周闯杰刘庆彬何泽召

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

公开时间：2017-12-15

摘要:

本发明公开了一种金刚石基场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在金刚石层的上表面形成导电层；在所述导电层的上表面覆盖掩膜层；去除无源区域对应的掩膜层和导电层；分别去除源区对应的掩膜层和漏区对应的掩膜层；分别在所述源区和所述漏区形成源区高掺杂区和漏区高掺杂区；分别激活所述源区高掺杂区、所述漏区高掺杂区和所述导电层的载流子；分别在所述源区高掺杂区的上表面和所述漏区高掺杂区的上表面覆盖第一金属层，形成源极和漏极；在栅区对应的掩膜层的上表面覆盖第二金属层，形成栅极。本发明能够提高器件的耐击穿特性，降低器件的欧姆接触电阻。

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9.【专利】三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器及其制备方法

发明人：王晶晶冯志红何泽召

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

公开时间：2017-10-31

摘要:

本发明公开了一种三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器及其制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述传感器包括金刚石基片，所述金刚石基片的上、下表面形成有氢端基金刚石层，每层氢端基金刚石层上形成有漏电极和源电极，所述漏电极和源电极之间的氢端基金刚石层上形成有捕获层，所述捕获层上形成有栅电极。所述传感器具有高效率、高灵敏度、分析速度快、体积小、试样用量少，成本低、易于大批量制备的优点。

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10.【期刊】蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯

作者：刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红

刊名：物理化学学报

发表时间：2016-03-01

摘要:

化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足.利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响.原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、拉曼光谱和霍尔测试表明,低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量.研究氢气和碳源对蓝宝石衬底表面刻蚀作用机理,发现氢气对蓝宝石衬底有刻蚀作用,而单纯的碳源不能对衬底产生刻蚀效果.在1200℃下,直径为50 mm的晶圆级衬底上获得平整度和质量相对较好的石墨烯材料,室温下载流子迁移超过1000 cm2·V-1·s-1.

石墨烯蓝宝石化学气相沉积法生长温度刻蚀机理

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