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申请人：重庆大学
公开时间：2003-11-12
摘要:
新结构相关双采样保持电路，包含有源随管Msf1、开关管MLp、采样选通管Msh和直流复位管Mdc，源随管Msf1的源极经开关管MLp接电源，且经采样保持电容Ccds接缓冲输出级的输入端，漏极经采样选通管Msh接地，栅极接积分电容。源随管Msf1的源极和衬底接在一起，以减小MOS管的体效应；直流复位管Mdc的漏极和源极分别接缓冲输出级的输入端和地；开关管MLp、采样选通管Msh和直流复位管Mdc的栅极均接同一控制脉冲Vcdsh。它具有结构简单、驱动脉冲简单，数模转换方便，且提高了帧频率，功耗很小和输出噪声特性大幅改善等优点。本实用新型可用于各种光电、光伏和光导探测器的积分信号的输出处理。
申请人：重庆大学
公开时间：2001-05-30
摘要:
集成真空微电子触觉传感器阵列,由真空微电子触觉敏感元二维阵列、信号处理电路两大部分组成。其中,构成触觉敏感元二维阵列的触觉敏感元由硅微场致发射阴极锥尖阵列、真空微腔、绝缘层、阳极弹性膜组成;信号处理电路由水平方向扫描电路、垂直方向扫描电路、MOS开关管阵列、信号输出端等组成。本发明具有温度稳定性好,灵敏度与分辨率高、响应速度快、功耗低、抗辐射、体积小等优点。它既可测量多点微压力与微位移,又可感知被测物体的相应形貌,是一种用途极为广泛的集成真空微电子触觉传感器阵列。
申请人：重庆大学
公开时间：2006-01-25
摘要:
用于红外焦平面阵列的背景电流抑制读出电路，该电路包括：缓冲直接注入结构、背景电流和暗电流的电流存储器及相关双采样电路，其改进在于背景电流和暗电流存储器100的控制端即NMOS管106的栅极，依次连接PMOS管108、模数/数模转换器109和非易失性存储器110，从而构成存储和自动刷新所保存的背景电流和暗电流的电路。本实用新型的电路利用电流存储器进行背景电流自动抑制，并采用模数和数模转换器以及非易失性存储器来保持电流存储器中的电容上的电压不会衰减，克服了现有高背景电流抑制读出电路在使用中需要用机械电子装置定期校正的缺点，而且该电路具有很高的电荷处理能力。
发表时间：2006-11-01
摘要:
非致冷微测辐射热计具有较大不均匀性,并且输出响应受衬底温度影响很大.提出的读出电路在读出信号的同时能够扩大探测阵列的允许衬底温度.电路采用多列像素共享容式跨阻放大器(CTIA)和DAC,用补偿暗像元扣除静态电流,校正数据经DAC转换送至MOS管的栅极以控制偏置电流达到温度补偿目的.该电路灵敏度高、动态范围大,对于128×128面阵可以达到30Hz以上的帧频,通过PSPICE仿真验证了该读出电路的可行性.
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