摘要:

本发明涉及集成电路器件技术领域，设计/研究具体为低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法，本发明的MgO纳米线RRAM设计具有纳米线结构MgO阻变层，纳米线使MgO带隙提高而更有效抑制漏电流，纳米线结构使得RRAM导电细丝限定在纳米线内，难以在空间上发散、衍生，从而形成导电路径更短，随机性较低，进而提高高、低阻状态阻变参数均匀性，并采用CNTs/石墨烯符合电极进一步降低编程电压。此外，在限定单元区域内生长纳米线使得各RRAM存储单元间的导电路径分布更均匀，进一步降低RRAM的特征参数发散性。从而设计实现一种具有阻变参数均匀的低漏电流、大阻值比MgO纳米线RRAM。

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本发明涉及微电子技术领域。本发明公开了一种抗单粒子瞬态加固SOI器件，包括衬底、埋氧层、半导体体区、漏区、源区、栅区、栅侧墙、LDD区和重掺杂的源延伸区，所述埋氧层位于衬底之上，所述半导体体区、源区和漏区位于埋氧层之上，并且半导体体区位于源区和漏区之间，所述LDD区位于半导体体区的两侧顶端并分别与源区和漏区接触，所述栅区位于半导体体区之上，所述两个栅侧墙分别位于栅区的两侧并在LDD区之上，所述源延伸区位于源区、半导体体区和埋氧层之间，所述源延伸区的掺杂类型与源区的掺杂类型相反，本发明还公开了其制备方法。本发明有效抑制单粒子辐射引起的SOI器件单粒子翻转和单粒子瞬态效应，工艺流程简单且与现有的工艺技术兼容。

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本发明公开了一种基于分布式多传感器阵列的弱声源定位方法，用于包括有多个节点的分布式多传感器阵列中，所述方法包含：根据所述分布式多传感器阵列的多个节点基阵接收的信号获取包含声源信息的互谱密度矩阵；建立声场模型，分别求解基阵方向向量和每一个离散噪声源的拷贝向量，并对所述方向向量和所述噪声源拷贝向量设置约束条件；根据离散噪声源位置信息设计离散噪声源干扰抑制的最优权向量，使最优权向量对观测方位的波束响应无失真，而对离散噪声源干扰方位的响应为零；使用该最优权向量构成离散噪声源干扰抑制分布式多传感器相干匹配处理器，对观测声源进行距离和深度估计，从而实现在离散噪声源干扰存在情况下的弱声源定位。xa0xa0

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为提高有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池(PSCs)光吸收效率、平衡有源层中载流子产生速率,将周期性纳米光栅结构引入到PSCs器件结构中.分析了光栅周期、光栅高度和有源层厚度对表面等离子激元(SPPs)与法布里-珀罗(F-P)共振耦合模式的影响.通过改变光栅周期,实现了SPPs与F-P共振耦合波长范围与钙钛矿材料的弱吸收光谱区域相重合,同时光栅高度的增加可以增大耦合模式的光谱宽度.SPPs与F-P共振耦合模式实现了金属电极与电子传输层(ETL)界面处的局域电场增强.结果表明:场增强效应扩展到有源区,有效提高了PSCs有源层远入射光侧在570～800 nm波长范围内的光吸收,进而提高了有源层远入射光区域的载流子产生速率.当光栅周期为250 nm、光栅高度为50 nm、源层厚度为300 nm时,PSCs在太阳光弱吸收光谱区域内的本征吸收提高了～12％,有源层远入射光侧载流子产生速率提高了～41％.

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本发明公开一种基于KG510中继台的接口转换器的通讯方法，该接口转换器为25引脚接口转换器，负责将KG510中继台的全部信号引出并转换；该接口转换器的通讯方法如下:步骤1：客户端向KG510中继台周期性的发送控制数据流，该控制数据流包括控制指令、数据内容以及KG510中继台的标志位；步骤2：接收控制数据流，解析该控制数据流得到控制指令、数据内容和KG510中继台的标志位，首先根据KG510中继台的标志位获得对应的、待进行通信的KG510中继台地址，将该对应的、待进行通信的KG510中继台记为第二KG510中继台；然后KG510中继台通过接口转换器向第二KG510中继台发送远程连接请求，得到第二KG510中继台的确认信号后，再根据控制指令进行收发处理。

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本发明公开一种基于KG510中继台的接口转换器的通讯方法，该接口转换器为25引脚接口转换器，负责将KG510中继台的全部信号引出并转换；该接口转换器的通讯方法如下:步骤1：客户端向KG510中继台周期性的发送控制数据流，该控制数据流包括控制指令、数据内容以及KG510中继台的标志位；步骤2：接收控制数据流，解析该控制数据流得到控制指令、数据内容和KG510中继台的标志位，首先根据KG510中继台的标志位获得对应的、待进行通信的KG510中继台地址，将该对应的、待进行通信的KG510中继台记为第二KG510中继台；然后KG510中继台通过接口转换器向第二KG510中继台发送远程连接请求，得到第二KG510中继台的确认信号后，再根据控制指令进行收发处理。

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食品是生存的基础,实现食品的安全意义重大.解决食品安全的最好方法是建立和实施食品可追溯体系.而RFID技术对此体系的实施可以起到至关重要的作用.本文概述了RFID技术的工作原理、特点、分类以及它在食品可追溯体系的应用.

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本发明公开了纳米结构在阴极光栅凸起处的钙钛矿电池，包括衬底，所述衬底上依次设置有阴极层、电子传输层、有源层、空穴传输层和阳极层。所述的阴极层上设有周期性凸出于阴极层的金属光栅，所述金属光栅凸起处的表面上设有绝缘纳米结构。本发明还公开了上述纳米结构在阴极光栅凸起处的钙钛矿电池的制备方法。本发明的有益之处在于：提供一种纳米结构在阴极光栅凸起处的钙钛矿电池，利用金属纳米光栅和绝缘纳米粒子复合结构，将波长在500～800nm范围内入射光的电场局限在阴极附近来增强有源层背离入射方向位置的光吸收，进而平衡载流子产生速度。仅利用一道光刻制程便可以得到金属纳米光栅和绝缘纳米结构，工艺成熟，节省成本。

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本文介绍了N MOSFET的物理结构特性以及导电沟道形成过程与本质.详细分析与说明N MOSFET的漏极电流iD与漏源电压uDS特性表达式以及N MOSFET的物理结构、材料特性和制造工艺等对于N MOSFET特性的影响.

摘要:

介绍了一种基于Pspice的电子工作平台,详细说明了平台的使用范围和流程,并通过电路理论、模拟电路和数字逻辑电路的例子仔细分析本平台在电路仿真和系统设计中的应用.