MOSFET特性研究

• 作者: 袁占生 郑文杰
• 来源期刊: 内蒙古民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 场效应管 低功耗 沟道 PN结 夹断
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 11-14
• 分类号: O441.1
• 字数: 1624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0185.2010.01.004

摘要

本文介绍了N MOSFET的物理结构特性以及导电沟道形成过程与本质.详细分析与说明N MOSFET的漏极电流iD与漏源电压uDS特性表达式以及N MOSFET的物理结构、材料特性和制造工艺等对于N MOSFET特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑文杰	集美大学信息工程学院	12	30	3.0	4.0
2	袁占生	集美大学信息工程学院	15	29	3.0	4.0