部分重叠双栅MOSFET特性的研究

• 作者: 柯导明 赵阳 韩名君
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 部分重叠双栅 分裂双栅 短沟效应 栅电容 沟道表面电场
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学与电子信息技术
• 页码范围: 43-47
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2797字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2012.02.009

摘要

研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子信息工程学院	83	423	10.0	17.0
2	韩名君	安徽大学电子信息工程学院	10	37	4.0	6.0
3	赵阳	安徽大学电子信息工程学院	6	4	2.0	2.0