自对准双栅MOSFET的结构与工艺实现

• 作者: 李伟华 钱莉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准栅 双栅MOSFET
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 287-291
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.03.018

摘要

双栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点.自对准的双栅MOSFET结构中,栅与源漏之间无覆盖,对于实现最终的高性能十分重要.本文具体介绍了几种自对准的双栅MOSFET的结构及其工艺流程.