栅对准误差对双栅MOSFET性能影响的分析

• 作者: 李伟华 钱莉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 双栅MOS场效应晶体管 栅不对准
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 402-405
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.04.018

摘要

双栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点.但是目前自对准的双栅MOSFET的工艺制作相当困难.本文中分析了双栅MOSFET 的正、背面栅存在对准误差时,对器件的静态及动态特性的影响,并提出了一种改善这种影响的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟华	东南大学微电子中心	13	76	5.0	8.0
2	钱莉	东南大学微电子中心	2	1	1.0	1.0