亚50nm自对准双栅MOSFET的结构设计

• 作者: 徐秋霞 殷华湘
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双栅MOSFET 结构设计 侧墙效应 SCD
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1267-1274
• 页数: 8页
• 分类号: TN32
• 字数: 1952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.12.007

摘要

描述了一种用综合性方法设计的亚50nm自对准双栅MOSFET,该结构能够在改进的主流CMOS技术上实现.在这种方法下,由于各种因素的影响,双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不同的缩减限制.同时,侧面绝缘层在器件漏电流和电路速度上表现出特有的宽度效应.建立了关于这种效应的模型,并提供了相关的设计指导.另外,还讨论了一种新型的沟道掺杂设计,命名为SCD.利用SCD的DG器件能够在体反模式和阈值控制间取得较好的平衡.最后,总结了制作一个SADG MOSFET 的指导原则.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子中心	37	108	6.0	8.0
2	殷华湘	中国科学院微电子中心	11	23	3.0	4.0