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高能注入双阱CMDS器件与特性
高能注入双阱CMDS器件与特性
作者:
俞波
张敏
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高能注入
双阱
CMOS器件
特性
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文献信息
篇名
高能注入双阱CMDS器件与特性
来源期刊
科技通讯(上海船厂)
学科
工学
关键词
高能注入
双阱
CMOS器件
特性
年,卷(期)
1989,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
10-17
页数
8页
分类号
TN405
字数
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DOI
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1989(0)
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高能注入
双阱
CMOS器件
特性
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研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
科技通讯(上海船厂)
主办单位:
上海求新造船厂科技办公室
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
上海市机厂路132号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
142
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