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CMOS器件电离辐射损伤等效研究中损伤敏感性的确定
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文献信息
| 篇名 | CMOS器件电离辐射损伤等效研究中损伤敏感性的确定 | ||
| 来源期刊 | 科技通讯（乌鲁木齐） | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 损伤等效 损伤敏感性 电离辐射 CMOS | ||
| 年，卷（期） | 1990,（28） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 20-26 | |
| 页数 | 7页 | 分类号 | TN386.1 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
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损伤等效
损伤敏感性
电离辐射
CMOS
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期刊影响力
科技通讯（乌鲁木齐）
主办单位：
中科院新疆物理所图书情报研究宝
出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
乌鲁木齐市北东南路40号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
42
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