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摘要:
本文报道了在PCVD设备中用固态AlCl3源成功地制备出(TiAl)N膜。结果表明,(TiAl)膜的含Al量与AlCl3源的温度成正比,而膜内C含量则无明显变化。(TiAl)N膜保持了TiN膜的面心立方晶体结构,但其d(200)晶面间距变小,织构变弱,晶粒略有细化,(TiAl)N膜的显微硬度略高于或等于TiN膜的硬度,而其抗高温氧化性有较大幅度提高。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 用PCVD法制备(TiA1)N膜的研究
来源期刊 薄膜科学与技术 学科 工学
关键词 等离子体化学气相沉积 (TiAl)N膜 薄膜
年,卷(期) 1991,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 63-69
页数 7页 分类号 TN304.055
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 彭红瑞 青岛化工学院固体薄膜研究室 13 128 6.0 11.0
2 赵程 青岛化工学院固体薄膜研究室 11 132 5.0 11.0
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1991(0)
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研究主题发展历程
节点文献
等离子体化学气相沉积
(TiAl)N膜
薄膜
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
薄膜科学与技术
双月刊
南京1601信箱43分箱
出版文献量(篇)
327
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