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关于薄SiO2膜击穿的碰撞电离模型
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文献信息
| 篇名 | 关于薄SiO2膜击穿的碰撞电离模型 | ||
| 来源期刊 | 上海半导体 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | SIO2膜 击穿 碰撞电离 MOS器件 IC | ||
| 年，卷（期） | shwdzjshyy_1992,（2） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 34-40 | |
| 页数 | 7页 | 分类号 | TM215.3 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
五维指标
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1992(0)
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研究主题发展历程
节点文献
SIO2膜
击穿
碰撞电离
MOS器件
IC
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
主办单位：
出版周期：
季刊
ISSN：
1006-9453
CN：
31-1239/TN
开本：
出版地：
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
435
总下载数（次）
3
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