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关于薄SiO2膜击穿的碰撞电离模型
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SIO2膜
击穿
碰撞电离
MOS器件
IC
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相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
主办单位：
出版周期：
季刊
ISSN：
1006-9453
CN：
31-1239/TN
开本：
出版地：
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
435
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