A1N陶瓷中的晶格缺陷

• 作者: 徐洁 李振荣
• 来源期刊: 上海硅酸盐
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝陶瓷 陶瓷 晶格 缺陷
• 年，卷（期）: 1995,（4）
• 页码范围: 239-242
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.758

摘要

用透射电镜观察不同热导率的Ａ１Ｎ陶瓷中存在的晶格缺陷。Ａ１Ｎ陶瓷中的晶格缺陷主要以位错线形式呈现，分布不均匀，大多集中在晶界处，一些晶粒中存在反相畴界。热导率不同的试样其缺陷密度明显不同。氧杂质进入Ａ１Ｎ晶格并形成铝空位是产生晶格缺陷的主要原因，也对晶格参数有显著影响。