测量三种关键工艺参数的微电子测试结构

• 作者: 张安康
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子测试结构 氧化层厚度 偏移量 VLSI
• 年，卷（期）: 1996,（1）
• 页码范围: 23-30
• 页数: 8页
• 分类号: TN470.7

摘要

本文叙述了Ｘ射线曝光掩膜的评估、Ｆ－Ｎ隧道电流检测氧化层厚度以及三角形栅ＭＯＳ管测量偏称钽的微电子测试结构，并讨论了量测的结果。