SiO2,α—Si,Si3N4薄膜在表面钝化中的选择应用

• 作者: 白宏光 葛虹宇
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 界面态 半导体薄膜技术 表面钝化
• 年，卷（期）: 1996,（1）
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.12

摘要

本文基于对Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、α－Ｓｉ薄膜本身结构及其层间结构的分析，在半导体器件的表面钝化中做了选择应用。并将此用于生产实践，在Ｓｉ３Ｎ４－α－Ｓｉ－ＳｉＯ２结构中解决了由ＳｉＯ２／Ｓｉ界面的表面电荷及ＳｉＯ２中Ｎａ＋的漂移运动等引起的器件电学特性变差的问题。