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碳化硅半导体技术新进展
碳化硅半导体技术新进展
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摘要：
介绍了SIC材料的生长及器件制备技术,分析了目前SIC器件及集成电路等方面的研究现状,并讨论了存在的各种问题.
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碳化硅
能源领域应用
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内容分析
关键词云
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文献信息
| 篇名 | 碳化硅半导体技术新进展 | ||
| 来源期刊 | 西安电子科技大学学报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 碳化硅 化学气相淀积 器件 集成电路 | ||
| 年，卷（期） | 1998,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 86-90 | |
| 页数 | 5页 | 分类号 | TN304.0 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
五维指标
引文网络
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1998(0)
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研究主题发展历程
节点文献
碳化硅
化学气相淀积
器件
集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安电子科技大学学报(自然科学版)
主办单位：
西安电子科技大学
出版周期：
双月刊
ISSN：
1001-2400
CN：
61-1076/TN
开本：
出版地：
西安市太白南路2号349信箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
chi
出版文献量（篇）
4652
总下载数（次）
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