ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si3N4钝化膜的应用研究

• 作者: 丁振峰 任兆杏 宋银根 王卫乡 王道修 陈俊芳
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 化学
• 关键词: ECR-PECVD 浅结芯片 Si3N4钝化膜
• 年，卷（期）: 1998,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 119-121
• 分类号: TP3|O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.1998.05.032

摘要

利用ECR-PECVD技术将Si3N4薄膜成功地应用于UHF大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜,使芯片电特性有较好改善,完全避免了芯片后加工工序中划伤造成的芯片报废现象,提高了成品率.分析了Si3N4膜的钝化机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈俊芳	华南师范大学量电所	69	768	12.0	26.0
2	王卫乡	华南师范大学量电所	4	16	2.0	4.0
3	任兆杏	中科院等离子体物理研究所	3	9	2.0	3.0
4	丁振峰	中科院等离子体物理研究所	1	5	1.0	1.0
5	王道修		1	5	1.0	1.0
6	宋银根		1	5	1.0	1.0