PCVD氮化硼膜形成过程及表面形貌的分析

• 作者: 何家文 张晓玲 胡奈赛
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方氮化硼 薄膜形成 等离子体化学气相沉积(PCVD) 超硬材料 形貌
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 177-181
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1932字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.013

摘要

采用红外分析、金相技术及和透射电子显微(TEM)技术分析了射频PCVD法沉积氮化硼膜的形成过程.结果表明,在沉积过程中,非晶态氮化硼(a-BN)作为领先相首先按平面方式生长,然后立方氮化硼(c-BN)在其上成核,并靠沉积原子表面迁移过程而长大,这种过程交替进行的结果,使膜层由a-BN和c-BN组成.膜层的表面呈层状+胞状形貌,说明薄膜的生长不仅取决于固体表面的扩散,而且也与气相成分的扩散有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何家文	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	81	1138	18.0	30.0
2	张晓玲	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	9	80	3.0	8.0
3	胡奈赛	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	17	245	7.0	15.0