高能氩离子辐照硅产生的缺陷研究

• 作者: 侯明东 刘昌龙 孙友梅 张崇宏 朱智勇 李长林 金运范
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 单晶硅 离子辐照 缺陷
• 年，卷（期）: 1999,（12）
• 页码范围: 1248-1255
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 2150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.1999.12.019

摘要

在室温下750MeV氩离子对本征单晶硅进行辐照,通过用正电子湮没寿命测量技术、电子顺磁共振技术以及红外光吸收方法研究了辐照产生的缺陷.结果表明:电中性双空位是辐照产生的主要空位团;在4.3×1014ions/cm2的高剂量下未见样品发生非晶化转变;虽然在离子射程末端双空位的浓度随剂量的增加而显著增大,但在以电离激发过程为主要能损方式的区域里双空位的浓度基本不变.据此可以认为,电子能损过程对辐照产生的缺陷有退火作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金运范	中国科学院近代物理研究所	38	183	9.0	12.0
2	孙友梅	中国科学院近代物理研究所	31	115	7.0	9.0
3	朱智勇	中国科学院近代物理研究所	39	194	9.0	11.0
4	张崇宏	中国科学院近代物理研究所	50	169	7.0	11.0
5	侯明东	中国科学院近代物理研究所	41	177	7.0	12.0
6	刘昌龙	中国科学院近代物理研究所	12	44	3.0	6.0
7	李长林	中国科学院近代物理研究所	6	24	2.0	4.0