中子辐照GaAs缺陷的退火行为研究

• 作者: 刘键 张灶利 王佩璇
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 化学
• 关键词: 中子辐照 GaAs 缺陷
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 336-339
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 3447字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.004

摘要

采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射 (沟道RBS) 以及低温光荧光方法对中子辐照GaAs缺陷的快速退火行为进行了研究. 嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主. 在快速退火过程中可形成反位缺陷GaAs(Ev+200 meV) 以及复合缺陷IGa-VAs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘键	中国科学院高能物理研究所	28	152	8.0	11.0
2	王佩璇	北京科技大学材料物理系	4	2	1.0	1.0
3	张灶利	北京科技大学材料物理系	2	1	1.0	1.0