快中子辐照硅中双空位的退火行为研究

• 作者: 徐建萍 杨帅 邓晓冉 闫文博 陈贵锋
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 辐照缺陷 硅 双空位 FTIR
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 779-783
• 分类号: TN305
• 字数: 2451字
• 语种: 中文

摘要

本文利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)及正电子湮没谱技术(PAS)对快中子辐照硅中的双空位(V2)的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350～450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心(VO)形成V3O复合体而消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帅	天津理工大学理学院	12	44	3.0	6.0
2	邓晓冉	天津职业技术师范大学理学院	6	5	1.0	2.0
3	徐建萍	天津理工大学理学院	9	14	2.0	3.0
4	陈贵锋	河北工业大学材料科学与工程学院	22	59	5.0	6.0
5	闫文博	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	17	1.0	2.0