快中子辐照直拉硅中非晶区的FTIR研究

• 作者: 杨帅 王永 陈贵锋
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅 中子辐照 非晶区 空位型缺陷
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 2468-2471
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2157字
• 语种: 中文

摘要

利用Fourier变换红外光谱技术研究了高剂量快中子辐照直拉单晶硅中的辐照缺陷.研究表明,当中子剂量超过1018n·cm-2,在硅晶体会引入大量的非晶区和少量的非晶层(由连续的非晶区组成),分别在FTIR光谱中引入485和529.2 cm-1两个吸收带.退火实验表明,非晶区(485 cm-1)经150℃热处理后开始再结晶,有效的退火温度约为300℃;非晶层(529.2 cm-1)经300℃热处理后开始再结晶,有效的退火温度为500℃左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帅	天津理工大学理学院	12	44	3.0	6.0
2	陈贵锋	河北工业大学材料科学与工程学院	22	59	5.0	6.0
3	王永		1	0	0.0	0.0