中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

• 作者: 刘何燕 刘彩池 徐岳生 李养贤 杨德仁 牛萍娟 阙端鳞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 本征吸除 中子辐照 直拉硅
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 2407-2410
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.10.044

摘要

对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究.结果表明:经中子辐照后,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区.清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制,清洁区一旦形成,就不随退火时间变化.大量的缺陷在中子辐照时产生,并同硅中氧相互作用,加速了硅片体内氧的沉淀,是快速形成本征吸除效果的主要因素,从而把热历史的影响降到次要地位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	刘彩池	河北工业大学材料学院	63	305	11.0	14.0
3	徐岳生	河北工业大学材料学院	21	163	7.0	12.0
4	李养贤	河北工业大学材料学院	51	362	12.0	17.0
5	刘何燕	河北工业大学材料学院	22	135	6.0	11.0
6	牛萍娟	河北工业大学材料学院	2	22	1.0	2.0
7	阙端鳞	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	22	1.0	1.0