电子辐照直拉硅中VO2的红外光谱表征

• 作者: 冯翠菊 蔡莉莉 陈贵锋
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子辐照 傅里叶变换红外光谱(FTIS) 亚稳态缺陷 VO2复合体
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 251-254
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文

摘要

用能量为1.5MeV,剂量为1.8×1018 e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性.实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温红外光谱中向高频方向移动,300℃热处理时该亚稳态缺陷转化为VO缺陷;400℃热处理样品中出现了VO2的稳态缺陷,450℃热处理该稳态缺陷的峰值强度达到最大,当退火温度达到550℃时,该稳态缺陷完全消失并转化为其它复杂的缺陷.这种稳态的VO2缺陷经历450℃长时间热处理表现出良好的热稳定性,而在500℃短时热处理后转化为其它缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈贵锋	河北工业大学材料学院	22	59	5.0	6.0
2	冯翠菊	华北科技学院基础部物理教研室	19	60	4.0	7.0
3	蔡莉莉	华北科技学院基础部物理教研室	16	64	4.0	7.0