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摘要:
建立了a-Si TFT AMLCD的等效电路模型, 综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(Resistivity Capacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考.
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文献信息
篇名 TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究
来源期刊 液晶与显示 学科 工学
关键词 栅电极电阻 交叠电容 沟道电容 信号延迟 RC常数
年,卷(期) 1999,(2) 所属期刊栏目 研究报告
研究方向 页码范围 121-125
页数 分类号 TN14
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.007
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研究主题发展历程
节点文献
栅电极电阻
交叠电容
沟道电容
信号延迟
RC常数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
液晶与显示
月刊
1007-2780
22-1259/O4
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-203
1986
chi
出版文献量(篇)
3141
总下载数(次)
7
总被引数(次)
21631
相关基金
中国科学院院长基金
英文译名:Supported by Special Foundation of President of The Chinese Academy of Sciences
官方网址:http://chinesetax.com.cn/fagui/fagui/bumenguizhang/kexueyuan/199609/fagui_1673159.html
项目类型:基础研究项目、应用基础研究项目、高新技术创新项目
学科类型:
论文1v1指导