半导体形变势及其应变层异质结带阶

• 作者: 李书平 王仁智 蔡淑惠 郑永梅
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 异质结带阶 平均键能方法 形变势
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学·技术科学
• 页码范围: 670-675
• 页数: 6页
• 分类号: O471.5
• 字数: 3627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.1999.05.006

摘要

采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法,并通过InP/InAs、InP/GaP、GaAs/InAs、GaP/GaAs、AlAs/InAs等应变层异质结在不同应变情况下的价带带阶计算,并证实了该方法的实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李书平	厦门大学物理学系	23	51	3.0	5.0
2	王仁智	厦门大学物理学系	14	35	3.0	5.0
3	郑永梅	厦门大学物理学系	10	18	3.0	3.0
4	蔡淑惠	厦门大学物理学系	22	76	6.0	7.0