GaAs多晶薄膜的电共沉积制备及其半导体性能研究

• 作者: 张志梅 杨兆明 杨春晖 韩爱珍
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电沉积 砷化镓 薄膜 电流密度 能级位置
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 页码范围: 721-726
• 分类号: O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.1999.06.013

摘要

采用电共沉积制备GaAs薄膜.研究了电流密度、溶液中离子浓度比、pH值等电沉积参数对膜层质量的影响.并在观察膜层形貌的基础上,测试了膜层化学成分、晶格结构和能级位置、带隙值等半导体性能.测试结果证明膜的直接带隙材料性,带隙宽度为1.40 eV,薄膜成分为Ga0.9946As1.0054,接近化学计量的GaAs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春晖	哈尔滨工业大学应用化学系	59	300	9.0	14.0
2	张志梅	哈尔滨工业大学应用化学系	8	245	5.0	8.0
3	韩爱珍	哈尔滨工业大学应用化学系	9	12	2.0	2.0
4	杨兆明	哈尔滨工业大学应用化学系	2	4	2.0	2.0