杂质对(CdSe)m/(ZnSe)n应变半导体材料的影响

• 作者: 刘贵立 张国英 王际超
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变 态度密 杂质能级 超晶格
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 56-59
• 分类号: TN304.22
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1646.1999.01.018

摘要

采用T.B-recursion方法,计算(CdSe)m/(ZnSe)n超田格应变半导体材料的总态密度、局域态密度和分波态密度.论述了Al、Na、Cl、P等杂质及应变对(CdSe)m/(ZnSe)n超晶格应变半导体的影响,并分析了相应状态下的要质能级.由此得出一些对新材料研究有重要参考价值的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国英	沈阳工业大学电子工程系	32	214	8.0	14.0
2	王际超	沈阳工业大学教务处	9	76	4.0	8.0