氮离子注入SiO2单晶磨损机理的SEM研究

• 作者: 徐洮 田军 薛群基
• 来源期刊: 磨擦学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮离子注入 SiO2单晶 磨损机理 SEM
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 289-293
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.75+8.12
• 字数: 2881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0595.1999.04.001

摘要

利用氮离子注入技术改善SiO2单晶表面的摩擦磨损性能,并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后的SiO2单晶在干摩擦条件下与Si3N4球对摩时的磨损机理.研究结果表明,经过1×1017 N+/cm2剂量的氮离子注入后,SiO2单晶表面的耐磨性能比注入前提高了近4个数量级.氮离子注入使SiO2单晶表层形成SiO2微晶态与非晶态共存的混合态结构,其具有良好的抗塑变和塑性剪切能力,从而使SiO2单晶的抗磨性能得到大幅度提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛群基	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	219	3991	32.0	53.0
2	田军	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	53	1167	23.0	31.0
3	徐洮	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	75	815	16.0	23.0