用硅离子注入SIO_2层方法制备的纳米硅的光学性质

• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅 离子注入 热退火 光致发光 拉曼散射
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 页码范围: 417-422
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文

摘要

报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO2 层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系.实验结果表明,在800℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入SiO2 层的缺陷发光.在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发生,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强.纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应.在直角散射配置下,首次观察到纳米硅的特征拉曼散射峰,进一步证实了光致发光谱的结果.